Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 한희성 | - |
| dc.contributor.author | 이기석 | - |
| dc.contributor.author | 임미영 | - |
| dc.contributor.author | 홍정일 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-02-25T02:58:50Z | - |
| dc.date.available | 2020-02-25T02:58:50Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/11357 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스는, 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스에 있어서, 소정 패턴 구조의 제 1 강자성층(ferromagnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층 상에 형성된 비자성층(non-magnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층을 매립하는 형태로 수평하게 형성되어 상기 비자성층의 상부를 노출시키는 제 1 반강자성층(antiferromagnetic layer)과, 상기 비자성층과 상기 제 1 반강자성층 상에 형성된 제 2 강자성층과, 상기 제 2 강자성층 상에 형성된 제 2 반강자성층을 포함하고, 상기 메모리 디바이스는, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층의 상부가 제 1 영역으로 구획되고, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 상부가 제 2 영역으로 구획될 수 있다. | - |
| dc.title | 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스 및 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | MEMORY DEVICE BY USING BLOCH-POINT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0133199 | - |
| dc.date.application | 2017-10-13 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1976791 | - |
| dc.date.registration | 2019-05-02 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(50/50),울산과학기술원(50/50) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Department of Physics and Chemistry Spin Nanotech Laboratory 3. Patents
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