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dc.contributor.author 한희성 -
dc.contributor.author 이기석 -
dc.contributor.author 임미영 -
dc.contributor.author 홍정일 -
dc.date.accessioned 2020-02-25T02:58:50Z -
dc.date.available 2020-02-25T02:58:50Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/11357 -
dc.description.abstract 본 발명에 따른 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스는, 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스에 있어서, 소정 패턴 구조의 제 1 강자성층(ferromagnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층 상에 형성된 비자성층(non-magnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층을 매립하는 형태로 수평하게 형성되어 상기 비자성층의 상부를 노출시키는 제 1 반강자성층(antiferromagnetic layer)과, 상기 비자성층과 상기 제 1 반강자성층 상에 형성된 제 2 강자성층과, 상기 제 2 강자성층 상에 형성된 제 2 반강자성층을 포함하고, 상기 메모리 디바이스는, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층의 상부가 제 1 영역으로 구획되고, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 상부가 제 2 영역으로 구획될 수 있다. -
dc.title 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스 및 제조 방법 -
dc.title.alternative MEMORY DEVICE BY USING BLOCH-POINT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2017-0133199 -
dc.date.application 2017-10-13 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1976791 -
dc.date.registration 2019-05-02 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(50/50),울산과학기술원(50/50) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Physics and Chemistry Spin Nanotech Laboratory 3. Patents

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