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블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스 및 제조 방법
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- Title
- 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스 및 제조 방법
- Alternative Title
- MEMORY DEVICE BY USING BLOCH-POINT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- Country
- KO
- Application Date
- 2017-10-13
- Application No.
- 10-2017-0133199
- Registration Date
- 2019-05-02
- Publication No.
- 10-1976791
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(50/50),울산과학기술원(50/50)
- Abstract
-
본 발명에 따른 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스는, 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스에 있어서, 소정 패턴 구조의 제 1 강자성층(ferromagnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층 상에 형성된 비자성층(non-magnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층을 매립하는 형태로 수평하게 형성되어 상기 비자성층의 상부를 노출시키는 제 1 반강자성층(antiferromagnetic layer)과, 상기 비자성층과 상기 제 1 반강자성층 상에 형성된 제 2 강자성층과, 상기 제 2 강자성층 상에 형성된 제 2 반강자성층을 포함하고, 상기 메모리 디바이스는, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층의 상부가 제 1 영역으로 구획되고, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 상부가 제 2 영역으로 구획될 수 있다.
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