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메모리 시스템 및 이의 동작 방법

Title
메모리 시스템 및 이의 동작 방법
Translated Title
MEMORY SYSTEM AND OPERATION METHOD FOR THE SAME
Inventors
이재동김칠민김영재
DGIST Inventors
이재동김칠민
Country
KO
Application Date
2018-02-19
Application No.
10-2018-0019528
Registration Date
2020-02-03
Registration No.
10-2075036
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/11454
https://doi.org/10.8080/1020180019528 [KIPRIS]
Abstract
본 발명의 일 실시예에 따르면, 메모리 셀 어레이를 포함하는 광학 메모리 시스템에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이에 포함된 적어도 하나의 단위 셀은, 제1전극 및 제2전극을 포함하는 커패시터; 상기 제1전극에 각각 전기적으로 연결된 제1다이오드 및 제2다이오드를 포함하며, 상기 제1다이오드는 서로 접합된 제1부도체 및 제2부도체를 포함하고, 상기 제2다이오드는 서로 접합된 제3부도체 및 제4부도체를 포함하며, 상기 제1부도체 내지 상기 제4부도체는 각각 5 eV 이상의 밴드갭을 갖는, 광학 메모리 시스템을 제공한다.
Related Researcher
  • Author Lee, JaeDong Light and Matter Theory Laboratory
  • Research Interests Theoretical Condensed Matter Physics; Ultrafast Dynamics and Optics; Nonequilibrium Phenomena
Files:
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Collection:
Department of Emerging Materials ScienceLight and Matter Theory Laboratory3. Patents
Department of Emerging Materials ScienceMicro Laser Laboratory3. Patents


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