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인공 시냅스 소자 및 이의 제조방법

Title
인공 시냅스 소자 및 이의 제조방법
Translated Title
Artificial synapse element and manufacturing method thereof
Inventors
이명재
DGIST Inventors
이명재
Country
KO
Application Date
2018-01-25
Application No.
10-2018-0009652
Registration Date
2018-11-20
Registration No.
10-1922049
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/12196
https://doi.org/10.8080/1020180009652 [KIPRIS]
Abstract
본 발명의 일실시예는 인공시냅스 소자 제조방법을 제공한다. 이때, 상기 인공시냅스소자 제조방법은 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계, 상기 제1전극 상에 제1저항변화층을 형성하는 단계 및 상기 제1저항변화층 상에 이리듐(Ir)전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따른 인공시냅스 소자 제조방법에 따라 인공시냅스 소자를 제조할 경우, 필라멘트 대신 산소공공을 형성하여 제조되는 인공시냅스 소자의 저항산포를 감소시킴으로써 상기 인공시냅스 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
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Collection:
Division of Nanotechnology3. Patents


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