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dc.contributor.author 파시반 -
dc.contributor.author 이종수 -
dc.date.accessioned 2020-08-19T09:04:48Z -
dc.date.available 2020-08-19T09:04:48Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/12229 -
dc.description.abstract 본 발명의 일 실시예는 고색순도를 위한 발광파장 제어와 좁은 발광파장을 가지는 양자점 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인듐전구체 및 아연전구체를 산에 녹여 혼합물을 준비하는 단계, 상기 혼합물에 인 화합물을 넣어 In(Zn)P계코어를 형성하는 단계, 상기 혼합물에 셀레늄 화합물 및 상기 아연전구체를 넣어 상기 In(Zn)P계코어상에 코팅된 제1 쉘을 형성하는 단계 및 상기 혼합물에 황 화합물 및 상기 아연전구체를 넣어 상기 제1 쉘 상에 코팅된 제2 쉘을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 쉘은 ZnSe으로 형성되고, 상기 제2 쉘은 ZnS로 형성된 것을 특징으로하는 양자점의 제조방법을 제공하는 것에 관한 것이다. -
dc.title 고색순도를 위한 발광파장 제어 및 좁은 발광파장을 가지는 양자점 제조방법 및 필름 제조방법 -
dc.title.alternative Method of manufacturing quantum dot having tunable and narrow-band luminescence and manufacturing film using the same -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2017-0175583 -
dc.date.application 2017-12-19 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1942304 -
dc.date.registration 2019-01-21 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Energy Science and Engineering MNEDL(Multifunctional Nanomaterials & Energy Devices Lab) 3. Patents

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