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dc.contributor.author 이광재 -
dc.contributor.author 조창희 -
dc.contributor.author 김상조 -
dc.contributor.author 박성주 -
dc.contributor.author 이효주 -
dc.contributor.author 오세미 -
dc.contributor.author 송보경 -
dc.contributor.author 김나영 -
dc.date.accessioned 2020-08-20T09:04:37Z -
dc.date.available 2020-08-20T09:04:37Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/12279 -
dc.description.abstract 전 방향에서 고반사도를 갖는 발광다이오드 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 위치하는 제1도전형 질화물 반도체층, 활성층, 제2도전형 질화물 반도체층; 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 위치하는 n측 전극; 및 상기 제2도전형 질화물 반도체층 상에 위치하는 p측 전극;을 포함하고, 상기 p측 전극은 플레이트층; 및 상기 플레이트층 상에 위치하는 반사층을 포함하며, 상기 플레이트층은 금속으로 둘러싸인 복수개의 나노 홀, 상기 나노 홀 내부에 위치하는 도전층을 포함한다. -
dc.title 발광다이오드 및 그 제조 방법 -
dc.title.alternative LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2018-0105388 -
dc.date.application 2018-09-04 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2110458 -
dc.date.registration 2020-05-07 -
dc.contributor.assignee 광주과학기술원(85/85),(재)대구경북과학기술원(15/15) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Physics and Chemistry Future Semiconductor Nanophotonics Laboratory 3. Patents

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