전 방향에서 고반사도를 갖는 발광다이오드 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 위치하는 제1도전형 질화물 반도체층, 활성층, 제2도전형 질화물 반도체층; 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 위치하는 n측 전극; 및 상기 제2도전형 질화물 반도체층 상에 위치하는 p측 전극;을 포함하고, 상기 p측 전극은 플레이트층; 및 상기 플레이트층 상에 위치하는 반사층을 포함하며, 상기 플레이트층은 금속으로 둘러싸인 복수개의 나노 홀, 상기 나노 홀 내부에 위치하는 도전층을 포함한다.
