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3차원 디락 준금속을 이용한 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법

Title
3차원 디락 준금속을 이용한 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법
Translated Title
Single Electron Transistor Using Three-Dimensional Dirac Semimetal and Method for Manufacturing Same
Inventors
정민경
DGIST Inventors
정민경
Country
KO
Application Date
2019-01-31
Application No.
10-2019-0013021
Registration Date
2020-04-01
Registration No.
10-2098092
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/12295
https://doi.org/10.8080/1020190013021 [KIPRIS]
Abstract
게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 채널층을 포함하는 단전자 트랜지스터이며, 상기 채널층은 자기장 내에 놓이는 3차원 디락 준금속 나노와이어를 포함하는 단전자 트랜지스터를 개시한다. 본 발명의 일 측면에서 제공되는 단전자 트랜지스터는, 3차원 디락 준금속 나노와이어를 사용하면서 자기장을 가해 터널링을 억제함으로써 동작 속도가 향상된 단전자 트랜지스터를 구현할 수 있는 효과가 있다.
Related Researcher
  • Author Jung, Minkyung  
  • Research Interests nanoelectronics, quantum transport, quantum physics, qubit, condensed matter physics,
Files:
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Collection:
Division of Nanotechnology3. Patents


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