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3차원 디락 준금속을 이용한 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법
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- Title
- 3차원 디락 준금속을 이용한 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법
- Alternative Title
- Single Electron Transistor Using Three-Dimensional Dirac Semimetal and Method for Manufacturing Same
- Country
- KO
- Application Date
- 2019-01-31
- Application No.
- 10-2019-0013021
- Registration Date
- 2020-04-01
- Publication No.
- 10-2098092
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
-
게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 채널층을 포함하는 단전자 트랜지스터이며, 상기 채널층은 자기장 내에 놓이는 3차원 디락 준금속 나노와이어를 포함하는 단전자 트랜지스터를 개시한다. 본 발명의 일 측면에서 제공되는 단전자 트랜지스터는, 3차원 디락 준금속 나노와이어를 사용하면서 자기장을 가해 터널링을 억제함으로써 동작 속도가 향상된 단전자 트랜지스터를 구현할 수 있는 효과가 있다.
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