Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정민경 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-08-20T09:05:25Z | - |
| dc.date.available | 2020-08-20T09:05:25Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/12295 | - |
| dc.description.abstract | 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 채널층을 포함하는 단전자 트랜지스터이며, 상기 채널층은 자기장 내에 놓이는 3차원 디락 준금속 나노와이어를 포함하는 단전자 트랜지스터를 개시한다. 본 발명의 일 측면에서 제공되는 단전자 트랜지스터는, 3차원 디락 준금속 나노와이어를 사용하면서 자기장을 가해 터널링을 억제함으로써 동작 속도가 향상된 단전자 트랜지스터를 구현할 수 있는 효과가 있다. | - |
| dc.title | 3차원 디락 준금속을 이용한 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Single Electron Transistor Using Three-Dimensional Dirac Semimetal and Method for Manufacturing Same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0013021 | - |
| dc.date.application | 2019-01-31 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2098092 | - |
| dc.date.registration | 2020-04-01 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Division of Nanotechnology Quantum Nanoelectronic Devices Lab 3. Patents
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