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힘 센서

Title
힘 센서
Alternative Title
FORCE SENSOR
Author(s)
이명재이현준김준서
Country
KO
Application Date
2019-04-25
Application No.
10-2019-0048304
Registration Date
2020-08-31
Publication No.
10-2152267
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/13112 10-2019-0048304
Abstract
힘 센서가 개시된다. 힘 센서는 제1 영구자석층, 제1 영구자석층 위에 배치되고 기 설정된 저항 값을 가지는 자기터널접합체 및 자기터널접합체와 이격되어 배치되는 제2 영구자석층을 포함하고, 제2 영구자석층은 외부에서 압력이 가해지는 경우 제1 영구자석층 방향으로 이동하고, 자기터널접합체는 제2 영구자석층의 이동에 따라 제1 영구자석층과 제2 영구자석층 사이에 형성된 자기장의 세기가 기 설정된 세기 이상으로 형성되는 경우, 기 설정된 저항 값이 변화하고, 기 설정된 저항 값의 변화에 기초하여 압력을 감지할 수 있다.
Related Researcher
  • 이명재 Lee, Myoung-Jae
  • Research Interests Next generation semiconductor material/device; 차세대 반도체 소재/소자; Memristor; 멤리스터; Neuromorphic device; 뉴로모픽 소자; Nonvolatile resistance memory; 비휘발성 저항변화메모리
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Division of Nanotechnology 3. Patents

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