본 발명은 정전용량식 터치센서, 압전센서 및 듀얼게이트 트랜지스터를 포함하고; 상기 듀얼게이트 트랜지스터는 하부게이트전극; 상기 하부게이트전극 상부에 위치한 하부게이트절연층; 상기 하부게이트절연층 상부에 위치한 반도체층; 상기 반도체층 상부에 위치한 상부게이트절연층; 상기 상부게이트절연층 상부에 위치한 상부게이트전극; 및 서로 이격되어 위치하는 소스전극 및 드레인전극; 을 포함하는 트랜지스터 모듈을 제공한다.
Research Interests
Next generation semiconductor material/device; 차세대 반도체 소재/소자; Memristor; 멤리스터; Neuromorphic device; 뉴로모픽 소자; Nonvolatile resistance memory; 비휘발성 저항변화메모리