CZTSSe계 광흡수층의 제조방법 및 이를 포함하는 태양전지의 제조방법

Abstract

기판 상에 전구체 물질로 금속을 사용하여 구리(Cu), 아연(Zn) 및 주석(Sn)을 포함하는 전구체층을 형성하는 단계; 상기 전구체층이 형성된 기판 및 금속 형태의 셀레늄(Se)을 챔버 내에 배치하는 단계; 상기 챔버 내의 압력을 감소하는 단계; 상기 챔버 내에 불활성 기체를 공급하는 단계; 상기 챔버 내의 압력이 300 내지 700 Torr에 도달 시 상기 불활성 기체의 공급을 차단하는 단계; 및 상기 챔버 내의 압력을 300 내지 700 Torr로 유지하고, 상기 챔버 내의 기판을 가열하며 황화수소(H2S)를 공급하되, 300℃ 내지 350℃ 이하의 온도 범위에서 황화수소를 공급하고, 적어도 400℃를 초과하는 온도 범위에서 황화수소의 공급을 차단하는 단계;를 포함하는 CZTSSe계 광흡수층의 제조방법이 개시된다.