Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 곽진석 | - |
| dc.contributor.author | 노희연 | - |
| dc.contributor.author | 이현준 | - |
| dc.contributor.author | 최규진 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-12-31T17:35:13Z | - |
| dc.date.available | 2021-12-31T17:35:13Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/16026 | - |
| dc.description.abstract | 메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자가 개시된다. 메모리 셀 유닛은 양단 전극 및 상기 양단 전극 사이에 위치하고, 상기 양단 전극에 인가되는 전압에 따라 장축방향이 변화되며, 상기 장축방향의 변화에 따라 상기 양단 전극 간에 서로 다른 저항을 발생시키는 액정셀을 포함하여 다중 저항의 멀티-레벨 특성을 갖는다. | - |
| dc.title | 메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자 | - |
| dc.title.alternative | MEMORY CELL UNIT, SWITCHING RESISTANCE MEMORY DEVICE AND NEUROMORPHIC DEVICE INCLUDING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0131714 | - |
| dc.date.application | 2018-10-31 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2342308 | - |
| dc.date.registration | 2021-12-17 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(50/50),영남대학교 산학협력단(50/50) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Division of Nanotechnology 3. Patents
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