Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이현준 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-03-31T17:30:15Z | - |
| dc.date.available | 2022-03-31T17:30:15Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/16413 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 트랜지스터는, 기판 상에 배치되는 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체 물질을 포함하는 액티브층; 및 상기 액티브층 상에 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 일 끝단을 공통으로 지나는 가상의 선인 소스 드레인 에지 라인, 상기 게이트 전극의 일 끝단인 게이트 에지, 상기 액티브층의 일 끝단인 액티브 에지가 정의되고, 상기 소스 드레인 에지 라인 및 상기 액티브 에지의 상호 간의 위치에 따라 상기 게이트 에지의 위치가 결정되는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 반도체 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | Semiconductor Transistor | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0100059 | - |
| dc.date.application | 2020-08-10 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2371366 | - |
| dc.date.registration | 2022-03-02 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Division of Nanotechnology 3. Patents
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