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서브나노미터 크기의 황화납 양자점 및 이의 제조방법
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dc.contributor.author 박영호 -
dc.contributor.author 박승민 -
dc.contributor.author 인수일 -
dc.date.accessioned 2022-07-31T17:32:44Z -
dc.date.available 2022-07-31T17:32:44Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/16743 -
dc.description.abstract 본 발명은 서브나노미터 크기의 황화납 양자점 및 이를 제조하는 방법으로서, 저온 합성법을 통해 황화납 양자점을 제조하는 방법 및 이 방법으로 제조한 직경이 서브나노미터 크기를 가지는 비결정의 황화납 양자점에 관한 것이다. -
dc.title 서브나노미터 크기의 황화납 양자점 및 이의 제조방법 -
dc.title.alternative PbS quantum-dot having subnanometer size and Manufacturing method thereof -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2020-0022985 -
dc.date.application 2020-02-25 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2421872 -
dc.date.registration 2022-07-13 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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