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스핀궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조방법

Title
스핀궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조방법
Alternative Title
SIPN ORBIT TORQUE MEMORY DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREOF
Author(s)
김우영유천열
Country
KO
Application Date
2020-12-30
Application No.
10-2020-0188171
Registration Date
2022-09-06
Publication No.
10-2442286
Assignee
(재)대구경북과학기술원(60/60),고려대학교 산학협력단(40/40)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/16881 10-2020-0188171
Abstract
본 발명은 스핀궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 적어도 둘 이상의 스핀궤도 토크 메모리 구조체가 제1 방향으로 전기적으로 연결되고, 상기 적어도 둘 이상의 스핀궤도 토크 메모리 구조체는, 상기 제1 방향으로 선폭이 변화되는 스핀궤도 활성층; 및 상기 스핀궤도 활성층 상에 형성되는 자기 터널 접합을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Related Researcher
  • 유천열 You, Chun-Yeol
  • Research Interests Spintronics; Condensed Matter Physics; Magnetic Materials & Thin Films; Micromagnetic Simulations; Spin Nano-Devices
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Appears in Collections:
Department of Physics and Chemistry Spin Phenomena for Information Nano-devices(SPIN) Lab 3. Patents

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