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dc.contributor.author 김우영 -
dc.contributor.author 유천열 -
dc.date.accessioned 2022-09-30T17:30:14Z -
dc.date.available 2022-09-30T17:30:14Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/16881 -
dc.description.abstract 본 발명은 스핀궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 적어도 둘 이상의 스핀궤도 토크 메모리 구조체가 제1 방향으로 전기적으로 연결되고, 상기 적어도 둘 이상의 스핀궤도 토크 메모리 구조체는, 상기 제1 방향으로 선폭이 변화되는 스핀궤도 활성층; 및 상기 스핀궤도 활성층 상에 형성되는 자기 터널 접합을 포함하는 것을 특징으로 한다. -
dc.title 스핀궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조방법 -
dc.title.alternative SIPN ORBIT TORQUE MEMORY DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREOF -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2020-0188171 -
dc.date.application 2020-12-30 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2442286 -
dc.date.registration 2022-09-06 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(60/60),고려대학교 산학협력단(40/40) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Physics and Chemistry Spin Phenomena for Information Nano-devices(SPIN) Lab 3. Patents

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