전하 트랩에 의한 2단자 저항변화 메모리 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 크로스포인트 어레이 구조의 메모리 시스템
- Title
- 전하 트랩에 의한 2단자 저항변화 메모리 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 크로스포인트 어레이 구조의 메모리 시스템
- Alternative Title
- 2-terminal resistive random access memory by charge trap and preparation method thereof, and cross point array structure memory system comprising the same
- Country
- KO
- Application Date
- 2020-04-29
- Application No.
- 10-2020-0052193
- Registration Date
- 2023-02-28
- Publication No.
- 10-2506024
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
- 본 발명은 전하 트랩에 의한 2단자 저항변화 메모리 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 크로스포인트 어레이 구조의 메모리 시스템에 관한 것으로, 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 상에 배치되며, 1 내지 15 nm의 두께를 가지며, 절연성 금속산화물을 포함하는 절연체층; 상기 절연체층 상에 배치되는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 배치되는 제 2 금속층;을 포함하는 2단자 저항변화 메모리 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 크로스포인트 어레이 구조의 메모리 시스템에 관한 것이다.
- Related Researcher
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Lee, Myoung-Jae
- Research Interests Next generation semiconductor material/device; 차세대 반도체 소재/소자; Memristor; 멤리스터; Neuromorphic device; 뉴로모픽 소자; Nonvolatile resistance memory; 비휘발성 저항변화메모리
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- Appears in Collections:
- Division of Nanotechnology 3. Patents
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