이종접합 광트랜지스터의 광전류 매핑 및 노이즈 전류 측정 장치 및 방법

Abstract

본 발명은 p-WSe2/n-WS2/n-MoS2 구조를 가진 다기능 이차원 이종접합 광트랜지스터를 구현하고, 구현된 이종접합 광트랜지스터에 대한 광전류 매핑을 통해 게이트 바이어스에 따른 광전류 생성의 위치를 측정하며, 전자와 정공 사이의 전하 균형에 따른 노이즈 전류를 측정하는 기술에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따르면 이종접합 광트랜지스터의 광전류 매핑 및 노이즈 전류 측정 장치는 기판 상에 게이트층이 형성되고, 상기 형성된 게이트층 상에 채널층이 WS2로 형성되며, 상기 채널층 상에 드레인층이 WSe2로 형성되고, 소스층이 MOS2로 형성되어 p-WSe2/n-WS2/n-MoS2 구조의 이종접합 구조를 가지고, 상기 채널층에 게이트 바이어스가 인가되어 상기 채널층의 페르미 레벨(Fermi level)이 제어되는 이종접합 광트랜지스터, 상기 이종접합 광트랜지스터에 인가되는 광에 의해 생성되는 광전류의 분포와 방향을 레이저를 사용하여 스캐닝 광전류 매핑함에 따라 상기 드레인층, 상기 채널층 및 상기 소스층에서 광전류 생성의 위치를 측정하는 광전류 매핑 측정부 및 상기 이종접합 광트랜지스터에 상기 광이 인가되지 않는 경우, 상기 게이트 바이어스의 방향에 따른 암전류(dark current)를 노이즈 전류로 변환하여 측정하는 노이즈 전류 측정부를 포함할 수 있다.