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DC Field Value Language 이현준 - 노희연 - 2023-11-01T02:10:24Z - 2023-11-01T02:10:24Z -
dc.identifier.uri -
dc.description.abstract 본 발명의 다양한 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 박막 및 제2 박막을 형성하는 단계; 상기 제2 박막을 패터닝하는 단계; 상기 제2 박막 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 박막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함할 수 있다. -
dc.title 곡률을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자 -
dc.title.alternative Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same -
dc.type Patent - KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2021-0018918 - 2021-02-10 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2583823 - 2023-09-22 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Nanotechnology 3. Patents


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