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dc.contributor.author 정민혜 -
dc.contributor.author 이종수 -
dc.contributor.author 이상현 -
dc.date.accessioned 2024-03-01T02:10:17Z -
dc.date.available 2024-03-01T02:10:17Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/48125 -
dc.description.abstract 본 발명은 2D-OD-2D 이종접합 구조체 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 광전소자를 개시한다. 본 발명은 P-타입의 2차원 반도체 물질을 포함하는 제1 2차원 반도체 물질층; 상기 제1 2차원 반도체 물질층 상에 형성되고, 0차원 반도체 물질을 포함하는 중간층; 및 상기 중간층 상에 형성되고, n-타입 2차원 반도체 물질을 포함하는 제2 2차원 반도체 물질층;을 포함하고, 상기 0차원 반도체 물질은 양자점을 포함하며, 상기 중간층은 양자점으로 인해 전자 및 홀이 생성되는 것을 특징으로 한다. -
dc.title 2D-OD-2D 이종접합 구조체 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 광전소자 -
dc.title.alternative 2D-OD-2D HETEROJUNCTION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD BY THE SAME, PEROVSKITE OPTOELECTRIC DEVICE COMPRISING THE SAME -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2021-0136405 -
dc.date.application 2021-10-14 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2631617 -
dc.date.registration 2024-01-26 -
dc.contributor.assignee 재단법인대구경북과학기술원 -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Energy Science and Engineering MNEDL(Multifunctional Nanomaterials & Energy Devices Lab) 3. Patents

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