본 발명은 좁은 발광반치폭과 높은 양자효율을 갖는 다층구조 나노입자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 다층구조 나노입자의 코어 및 쉘 구조에서 쉘을 구성하는 물질들 사이의 격자 상수 결함을 해소하기 위하여 쉘을 구성하는 물질들 사이에 격자 상수 결함을 해소하는 물질을 삽입하여 InP, ZnSe, ZnSeS 및 ZnS의 코어 및 쉘 구조를 이루는 다층구조 나노입자를 제조함에 따라 좁은 발광반치폭과 높은 양자효율을 갖는 다층구조 나노입자를 구현하는 기술에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 다층구조 나노입자는 InX계 시드를 포함한 혼합물에 Zn(In)X계 클러스터를 연속 주입하여 형성되는 InX계 코어, 상기 혼합물에 셀레늄 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 InX계 코어 상에 코팅되는 제1 쉘, 상기 혼합물에 셀레늄과 황의 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 제1 쉘 상에 코팅되는 제2 쉘 및 상기 혼합물에 황 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 제2 쉘 상에 코팅되는 제3 쉘을 포함할 수 있다.