누설 자기장을 이용하는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 일실시예에 따른 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자는 제1 방향으로 연장되어 형성된 중금속 입력단자 및 중금속 입력단자 상에 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되어 형성되고 강자성층을 구비하는 정보단자를 포함하고, 여기서 정보단자는 중금속 입력단자와 인접하는 제1 영역 및 중금속 입력단자와 인접하지 않는 제2 영역을 포함하고, 제1 영역과 제2 영역으로 인한 비균일적인 스핀궤도토크 효과(spin hall effect, SHE)에 기초하여 강자성층의 자화 반전이 제어될 수 있다.