Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 강진규 | - |
| dc.contributor.author | 양기정 | - |
| dc.contributor.author | 김정식 | - |
| dc.contributor.author | 박시내 | - |
| dc.contributor.author | 심준형 | - |
| dc.contributor.author | 김영일 | - |
| dc.contributor.author | 김대환 | - |
| dc.contributor.author | 손대호 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:13:01Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:13:01Z | - |
| dc.date.issued | 2014-09-29 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/7862 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 CZTS계 태양전지 광흡수층 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS계 태양전지 광흡수층에 관한 것으로, 상세하게는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 CZTS계 태양전지 광흡수층 제조방법에 따르면, 태양전지 광흡수층 내의 셀렌(Se) 및 황(S)의 비율을 조절할 수 있어, 밴드갭의 조절을 통하여 우수한 효율의 CZTS계 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 셀렌 원료와 황 원료를 동시에 챔버 내에서 열처리하므로, 공정이 단순하고, 셀렌 원료와 황 원료는 고체 원료로써, 종래의 기체를 사용하여 셀렌화-황화 공정을 하는 경우보다 공정이 용이한 장점이 있다. | - |
| dc.title | CZTS계 태양전지 광흡수층 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS계 태양전지 광흡수층 | - |
| dc.title.alternative | Method of manufacturimg of CZTS-based solar cell light absorber and CZTS-based solar cell light absorber thereby | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김정식 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박시내 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 심준형 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김영일 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 손대호 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0130059 | - |
| dc.date.application | 2014-09-29 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1583027 | - |
| dc.date.registration | 2015-12-30 | - |
| dc.contributor.assignee | 주식회사 에어빌드(100/100) | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 2의 셀렌화-황화 공정은,Se 원료인 Se 금속을 기화시킴으로써 생성된 Se 및 S 원료인 SeS 또는 SeS2을 기화시킴으로써 생성된 S를 전구체 박막 내로 침투시킴으로써 수행되고,상기 Se 원료에 대한 S 원료의 중량 비율은 0.001 내지 0.006(S/Se)인 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 강진규 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 양기정 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김정식 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 박시내 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 심준형 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김영일 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김대환 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 손대호 | - |
- Files in This Item:
-
There are no files associated with this item.
- Appears in Collections:
- Division of Energy Technology 3. Patents
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.