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3차원 주기성을 갖는 반도체 나노 월 구조의 제조방법

Title
3차원 주기성을 갖는 반도체 나노 월 구조의 제조방법
Translated Title
Method for manufacturing semiconductor nanowall structure with three-dimensional periodicity
Inventors
조창희고민지백성호송보경
DGIST Inventors
조창희; 고민지; 백성호; 송보경
Country
KO
Application Date
2015-07-27
Application No.
10-2015-0105724
Registration Date
2017-01-31
Registration No.
10-1702991
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/7874
https://doi.org/10.8080/1020150105724 [KIPRIS]
Abstract
반도체 나노 월 구조의 제조방법이 개시된다. 본 발명은 기판을 준비하는 단계(단계 1); 상기 기판 상에 감광제를 스핀 코팅하여 감광제 층을 형성하는 단계(단계 2); 상기 감광제 층의 일부를 노광하여 복수의 홀 어레이를 형성하는 단계(단계 3); 상기 형성된 복수의 홀 하부를 식각하는 단계(단계 4); 상기 식각된 홀 하부의 표면 및 측면을 고분자 물질로 코팅하는 단계(단계 5); 상기 코팅된 홀 하부의 기판 일부를 식각하는 단계 (단계 6); 상기 단계 5의 고분자 코팅과 상기 단계 6의 식각을 반복 수행하여 월의 깊이 및 깊이 방향 형태를 조절하는 단계(단계 7); 상기 감광제 층을 제거하고, 건식 산화공정 및 BOE를 사용한 습식식각을 수행하여 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조의 반도체를 제조하는 단계(단계 8)를 포함하는 3차원 주기성을 갖는 반도체 나노 월 구조의 제조방법을 포함한다.
Related Researcher
  • Author Cho, Chang-Hee Future Semiconductor Nanophotonics Laboratory
  • Research Interests Semiconductor; Nanophotonics; Light-Matter Interaction
Files:
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Collection:
Department of Physics and ChemistryFuture Semiconductor Nanophotonics Laboratory3. Patents
Division of Energy Technology3. Patents


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