Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조창희 | - |
| dc.contributor.author | 고민지 | - |
| dc.contributor.author | 백성호 | - |
| dc.contributor.author | 송보경 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:13:32Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:13:32Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/7874 | - |
| dc.description.abstract | 반도체 나노 월 구조의 제조방법이 개시된다. 본 발명은 기판을 준비하는 단계(단계 1); 상기 기판 상에 감광제를 스핀 코팅하여 감광제 층을 형성하는 단계(단계 2); 상기 감광제 층의 일부를 노광하여 복수의 홀 어레이를 형성하는 단계(단계 3); 상기 형성된 복수의 홀 하부를 식각하는 단계(단계 4); 상기 식각된 홀 하부의 표면 및 측면을 고분자 물질로 코팅하는 단계(단계 5); 상기 코팅된 홀 하부의 기판 일부를 식각하는 단계 (단계 6); 상기 단계 5의 고분자 코팅과 상기 단계 6의 식각을 반복 수행하여 월의 깊이 및 깊이 방향 형태를 조절하는 단계(단계 7); 상기 감광제 층을 제거하고, 건식 산화공정 및 BOE를 사용한 습식식각을 수행하여 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조의 반도체를 제조하는 단계(단계 8)를 포함하는 3차원 주기성을 갖는 반도체 나노 월 구조의 제조방법을 포함한다. | - |
| dc.title | 3차원 주기성을 갖는 반도체 나노 월 구조의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Method for manufacturing semiconductor nanowall structure with three-dimensional periodicity | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0105724 | - |
| dc.date.application | 2015-07-27 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1702991 | - |
| dc.date.registration | 2017-01-31 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 기판을 준비하는 단계(단계 1);상기 기판 상에 감광제를 스핀 코팅하여 감광제 층을 형성하는 단계(단계 2);상기 감광제 층의 일부를 노광하여 복수의 홀 어레이를 형성하는 단계(단계 3);상기 형성된 복수의 홀 하부를 식각하는 단계(단계 4);상기 식각된 홀 하부의 표면 및 측면을 고분자 물질로 코팅하는 단계(단계 5); 상기 코팅된 홀 하부의 기판 일부를 식각하는 단계 (단계 6);상기 단계 5의 고분자 코팅과 상기 단계 6의 식각을 반복 수행하여 월의 깊이 및 깊이 방향 형태를 조절하는 단계(단계 7); 및상기 감광제 층을 제거하고, 건식 산화공정 및 BOE를 사용한 습식식각을 수행하여 깊이 방향으로 물결 형태의 오목부 또는 볼록부가 주기적으로 형성된 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조를 포함하는 광소자를 제조하는 단계(단계 8);를 포함하는 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조방법. | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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