반도체 나노 월 구조의 제조방법이 개시된다. 본 발명은 기판을 준비하는 단계(단계 1); 상기 기판 상에 감광제를 스핀 코팅하여 감광제 층을 형성하는 단계(단계 2); 상기 감광제 층의 일부를 노광하여 복수의 홀 어레이를 형성하는 단계(단계 3); 상기 형성된 복수의 홀 하부를 식각하는 단계(단계 4); 상기 식각된 홀 하부의 표면 및 측면을 고분자 물질로 코팅하는 단계(단계 5); 상기 코팅된 홀 하부의 기판 일부를 식각하는 단계 (단계 6); 상기 단계 5의 고분자 코팅과 상기 단계 6의 식각을 반복 수행하여 월의 깊이 및 깊이 방향 형태를 조절하는 단계(단계 7); 상기 감광제 층을 제거하고, 건식 산화공정 및 BOE를 사용한 습식식각을 수행하여 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조의 반도체를 제조하는 단계(단계 8)를 포함하는 3차원 주기성을 갖는 반도체 나노 월 구조의 제조방법을 포함한다.
