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dc.contributor.author 강진규 -
dc.contributor.author 박시내 -
dc.contributor.author 성시준 -
dc.contributor.author 김대환 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:14:07Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:14:07Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/7885 -
dc.description.abstract 본 발명은 다공성 CZTS계 박막의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 구리 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체 및 황 또는 셀레늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전구체와 용매를 혼합하여 CZTS계 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계(단계 2); 상기 코팅된 박막을 200 내지 400 ℃의 온도에서 전열처리하는 단계(단계 3); 및 상기 전열처리된 박막을 500 내지 600 ℃의 온도로 황 또는 셀레늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 가스분위기에서 열처리하는 단계(단계 4);를 포함하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법을 제공한다. 본 발명은, 본 발명에 따른 다공성 CZTS계 박막 제조방법은, CZTS계 전구체를 코팅 후 전열처리 및 황 또는 셀레늄의 가스분위기에서 열처리함으로써, 유기물 바인더를 사용하지 않고도 비진공방식으로 제조가 가능하여, 소요시간 및 비용이 적게 들고 공정이 단순하다. 또한, 전열처리 및 후열처리의 온도와 시간에 따라 박막의 모폴로지, 결정립 크기 및 다공성 조절이 용이하여, 태양전지의 특성을 조절할 수 있는 효과가 있다. -
dc.title 다공성 CZTS계 박막의 제조방법 -
dc.title.alternative Method for manufacturing porous CZTS-based thin film -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2013-0116215 -
dc.date.application 2013-09-30 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1541449 -
dc.date.registration 2015-07-28 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 구리 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체 및 황 또는 셀레늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전구체와 용매를 혼합하되, 유기물 바인더를 포함하지 않는 CZTS계 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계(단계 2);상기 코팅된 박막을 200 내지 400 ℃의 온도에서 전열처리하는 단계(단계 3); 및상기 전열처리된 박막을 500 내지 600 ℃의 온도로 황 또는 셀레늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 가스분위기에서 열처리하는 단계(단계 4);를 포함하는 다공성 CZTS계 박막 제조방법. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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