본 발명은 상대 습도 0 % 내지 100 %로 조절된 분위기에서 금속 산화물 전구체를 포함하는 전구체 용액을 도포하여 습막(wet film)을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 형성된 습막을 상대 습도 0 % 내지 100 %로 조절된 분위기에서 저온 열처리(soft baking)하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 저온 열처리된 막을 소결하는 단계(단계 3);를 포함하는 금속 산화물 막의 모폴로지 제어방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금속 산화물 막의 모폴로지 제어방법은 가수분해 및 축합반응이 일어날 수 있는 습막(wet film)에 외부에서부터 물(H2O)을 공급함으로써 졸-겔(sol-gel) 반응 속도 및 진행 정도를 제어하여 원하는 모폴로지를 가지는 금속 산화물 막을 제조할 수 있다. 또한, 습막을 저온 열처리하는 공정을 통해 상대 습도 분위기에서 발생하는 가수분해를 제어할 수 있어 모폴로지 제어에 더욱 용이한 효과가 있다. 나아가, 본 발명에 따른 모폴로지가 제어된 금속 산화물 막을 태양전지 광전극용으로 사용할 경우 우수한 성능의 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Research Interests
Thin Film Solar Cells; 박막태양전지; Compound Semiconductor Materials & Processes; 화합물 반도체 재료 및 공정; Optoelectronic Devices based on Micro-Optical Structures; 미세 광학 구조 기반 광전자소자; Organic/Inorganic/Metallic Hybrid Thin Films & Applications; 유무기금속 하이브리드 박막