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dc.contributor.author 김대환 ko
dc.contributor.author 성시준 ko
dc.contributor.author 황대규 ko
dc.contributor.author 강진규 ko
dc.contributor.author 양기정 ko
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:19:06Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:19:06Z -
dc.date.issued 2012-11-13 -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8019 -
dc.description.abstract 본 발명은 화합물 반도체의 제조장치 및 이를 이용한 화합물 반도체의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부; 상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판; 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치; 상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및 상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하는 화합물 반도체의 제조장치를 제공한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체의 제조장치는 과량의 증발원을 시편과 함께 열처리하는 기존의 방법과 달리, VIA족 원소를 열처리 장치 내부에 순차적으로 그리고 지속적으로 공급함으로써 VIA족 원소의 기화 정도를 일정하게 제어할 수 있으며, 이에 따라 전구체의 균일한 반응을 유도할 수 있는 효과가 있다. -
dc.title 화합물 반도체의 제조장치 및 이를 이용한 화합물 반도체의 제조방법 -
dc.title.alternative Device for preparation of compound semiconductor, and the preparation method of compound semiconductor using the same -
dc.type Patent -
dc.type.rims PAT -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2012-0128050 -
dc.date.application 2012-11-13 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1403479 -
dc.date.registration 2014-05-28 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버;상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부;상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판;상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치;상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하며,상기 시편은 IB족 원소로 구리 (Cu), IIB족 원소로 아연 (Zn) 또는 카드뮴(Cd), IIIA족 원소로 인듐 (In) 또는 갈륨 (Ga), VIA족 원소로 주석 (Sn), 저마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 및 VA족 원소로 안티몬 (Sb) 또는 비스무스 (Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치. -
dc.description.claim 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버;상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부;상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판;상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치;상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하며,상기 시편은 IB족 원소로 구리 (Cu), IIB족 원소로 아연 (Zn) 또는 카드뮴(Cd), IIIA족 원소로 인듐 (In) 또는 갈륨 (Ga), VIA족 원소로 주석 (Sn), 저마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 및 VA족 원소로 안티몬 (Sb) 또는 비스무스 (Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치. -
dc.description.claim 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버;상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부;상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판;상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치;상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하며,상기 시편은 IB족 원소로 구리 (Cu), IIB족 원소로 아연 (Zn) 또는 카드뮴(Cd), IIIA족 원소로 인듐 (In) 또는 갈륨 (Ga), VIA족 원소로 주석 (Sn), 저마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 및 VA족 원소로 안티몬 (Sb) 또는 비스무스 (Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치. -
dc.description.claim 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버;상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부;상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판;상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치;상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하며,상기 시편은 IB족 원소로 구리 (Cu), IIB족 원소로 아연 (Zn) 또는 카드뮴(Cd), IIIA족 원소로 인듐 (In) 또는 갈륨 (Ga), VIA족 원소로 주석 (Sn), 저마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 및 VA족 원소로 안티몬 (Sb) 또는 비스무스 (Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치. -
dc.description.claim 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버;상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부;상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판;상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치;상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하며,상기 시편은 IB족 원소로 구리 (Cu), IIB족 원소로 아연 (Zn) 또는 카드뮴(Cd), IIIA족 원소로 인듐 (In) 또는 갈륨 (Ga), VIA족 원소로 주석 (Sn), 저마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 및 VA족 원소로 안티몬 (Sb) 또는 비스무스 (Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치. -
dc.description.claim 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버;상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부;상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판;상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치;상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하며,상기 시편은 IB족 원소로 구리 (Cu), IIB족 원소로 아연 (Zn) 또는 카드뮴(Cd), IIIA족 원소로 인듐 (In) 또는 갈륨 (Ga), VIA족 원소로 주석 (Sn), 저마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 및 VA족 원소로 안티몬 (Sb) 또는 비스무스 (Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치. -
dc.description.claim 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버;상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부;상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판;상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치;상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하며,상기 시편은 IB족 원소로 구리 (Cu), IIB족 원소로 아연 (Zn) 또는 카드뮴(Cd), IIIA족 원소로 인듐 (In) 또는 갈륨 (Ga), VIA족 원소로 주석 (Sn), 저마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 및 VA족 원소로 안티몬 (Sb) 또는 비스무스 (Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조장치. -
dc.identifier.iprsType 특허 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 김대환 -
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dc.contributor.affiliatedAuthor 강진규 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 양기정 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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