Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임상규 | ko |
| dc.contributor.author | 황성호 | ko |
| dc.contributor.author | 이수근 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:21:33Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:21:33Z | - |
| dc.date.issued | 2011-11-17 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8090 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 측에 따른 산화인듐주석 로드의 제조방법은 디메틸포름아미드(dimethylformamide) 및 알콜의 혼합비율을 달리함으로써 길이와 두께의 비인 어스펙트비(aspect ratio)가 조절된 산화인듐주석 로드를 제조할 수 있다. 즉, 산화인듐주석 로드 제조시, 디메틸포름아미드와 알콜을 특정 비율로 혼합함으로써 제조되는 산화인듐주석의 두께와 길이를 쉽게 조절할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 측에 따라 인듐과 주석에 고분자를 배위시킨 화합물로부터 제조되는 산화인듐주석 로드는 전자 재료, 센서 소재 등 다양한 소재 분야에 적용될 수 있다. | - |
| dc.title | 산화인듐주석 로드의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR PREPARING INDIUM TIN OXIDE ROD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0120034 | - |
| dc.date.application | 2011-11-17 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1401089 | - |
| dc.date.registration | 2014-05-22 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 디메틸포름아미드(dimethylformamide)에 인듐 전구체, 주석 전구체 및 테레프탈레이트(terephthalate)를 첨가한 후 교반하여 제1 혼합물을 형성하는 단계;상기 제1 혼합물에 알콜을 첨가한 후 교반하여 제2 혼합물을 형성하는 단계;상기 제2 혼합물을 환류 반응시켜서 침전물을 얻는 단계;상기 침전물을 세척한 후 건조하는 단계; 상기 건조된 침전물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리하는 단계 이후에 산화인듐 주석 로드를 획득하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 전구체는 인듐아세테이트, 질산인듐 및 인듐아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 주석 전구체는 주석아세테이트, 질산주석 및 주석아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 산화인듐주석 로드의 어스펙트 비(aspect ratio)는 4 ~ 30이고,상기 열처리 단계는 400℃ ~ 800℃에서 3시간 내지 4시간 동안 수행되며, 상기 알콜은 에탄올 및 이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 제2 혼합물을 형성하는 단계에서 알콜과 디메틸포름아미드는 0.19 ~ 0.5의 중량비(알콜/디메틸포름아미드)로 혼합되는 산화인듐주석 로드의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 디메틸포름아미드(dimethylformamide)에 인듐 전구체, 주석 전구체 및 테레프탈레이트(terephthalate)를 첨가한 후 교반하여 제1 혼합물을 형성하는 단계;상기 제1 혼합물에 알콜을 첨가한 후 교반하여 제2 혼합물을 형성하는 단계;상기 제2 혼합물을 환류 반응시켜서 침전물을 얻는 단계;상기 침전물을 세척한 후 건조하는 단계; 상기 건조된 침전물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리하는 단계 이후에 산화인듐 주석 로드를 획득하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 전구체는 인듐아세테이트, 질산인듐 및 인듐아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 주석 전구체는 주석아세테이트, 질산주석 및 주석아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 산화인듐주석 로드의 어스펙트 비(aspect ratio)는 4 ~ 30이고,상기 열처리 단계는 400℃ ~ 800℃에서 3시간 내지 4시간 동안 수행되며, 상기 알콜은 에탄올 및 이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 제2 혼합물을 형성하는 단계에서 알콜과 디메틸포름아미드는 0.19 ~ 0.5의 중량비(알콜/디메틸포름아미드)로 혼합되는 산화인듐주석 로드의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 디메틸포름아미드(dimethylformamide)에 인듐 전구체, 주석 전구체 및 테레프탈레이트(terephthalate)를 첨가한 후 교반하여 제1 혼합물을 형성하는 단계;상기 제1 혼합물에 알콜을 첨가한 후 교반하여 제2 혼합물을 형성하는 단계;상기 제2 혼합물을 환류 반응시켜서 침전물을 얻는 단계;상기 침전물을 세척한 후 건조하는 단계; 상기 건조된 침전물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리하는 단계 이후에 산화인듐 주석 로드를 획득하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 전구체는 인듐아세테이트, 질산인듐 및 인듐아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 주석 전구체는 주석아세테이트, 질산주석 및 주석아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 산화인듐주석 로드의 어스펙트 비(aspect ratio)는 4 ~ 30이고,상기 열처리 단계는 400℃ ~ 800℃에서 3시간 내지 4시간 동안 수행되며, 상기 알콜은 에탄올 및 이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 제2 혼합물을 형성하는 단계에서 알콜과 디메틸포름아미드는 0.19 ~ 0.5의 중량비(알콜/디메틸포름아미드)로 혼합되는 산화인듐주석 로드의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 디메틸포름아미드(dimethylformamide)에 인듐 전구체, 주석 전구체 및 테레프탈레이트(terephthalate)를 첨가한 후 교반하여 제1 혼합물을 형성하는 단계;상기 제1 혼합물에 알콜을 첨가한 후 교반하여 제2 혼합물을 형성하는 단계;상기 제2 혼합물을 환류 반응시켜서 침전물을 얻는 단계;상기 침전물을 세척한 후 건조하는 단계; 상기 건조된 침전물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리하는 단계 이후에 산화인듐 주석 로드를 획득하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 전구체는 인듐아세테이트, 질산인듐 및 인듐아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 주석 전구체는 주석아세테이트, 질산주석 및 주석아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 산화인듐주석 로드의 어스펙트 비(aspect ratio)는 4 ~ 30이고,상기 열처리 단계는 400℃ ~ 800℃에서 3시간 내지 4시간 동안 수행되며, 상기 알콜은 에탄올 및 이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 제2 혼합물을 형성하는 단계에서 알콜과 디메틸포름아미드는 0.19 ~ 0.5의 중량비(알콜/디메틸포름아미드)로 혼합되는 산화인듐주석 로드의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 디메틸포름아미드(dimethylformamide)에 인듐 전구체, 주석 전구체 및 테레프탈레이트(terephthalate)를 첨가한 후 교반하여 제1 혼합물을 형성하는 단계;상기 제1 혼합물에 알콜을 첨가한 후 교반하여 제2 혼합물을 형성하는 단계;상기 제2 혼합물을 환류 반응시켜서 침전물을 얻는 단계;상기 침전물을 세척한 후 건조하는 단계; 상기 건조된 침전물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리하는 단계 이후에 산화인듐 주석 로드를 획득하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 전구체는 인듐아세테이트, 질산인듐 및 인듐아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 주석 전구체는 주석아세테이트, 질산주석 및 주석아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 산화인듐주석 로드의 어스펙트 비(aspect ratio)는 4 ~ 30이고,상기 열처리 단계는 400℃ ~ 800℃에서 3시간 내지 4시간 동안 수행되며, 상기 알콜은 에탄올 및 이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 제2 혼합물을 형성하는 단계에서 알콜과 디메틸포름아미드는 0.19 ~ 0.5의 중량비(알콜/디메틸포름아미드)로 혼합되는 산화인듐주석 로드의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 디메틸포름아미드(dimethylformamide)에 인듐 전구체, 주석 전구체 및 테레프탈레이트(terephthalate)를 첨가한 후 교반하여 제1 혼합물을 형성하는 단계;상기 제1 혼합물에 알콜을 첨가한 후 교반하여 제2 혼합물을 형성하는 단계;상기 제2 혼합물을 환류 반응시켜서 침전물을 얻는 단계;상기 침전물을 세척한 후 건조하는 단계; 상기 건조된 침전물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리하는 단계 이후에 산화인듐 주석 로드를 획득하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 전구체는 인듐아세테이트, 질산인듐 및 인듐아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 주석 전구체는 주석아세테이트, 질산주석 및 주석아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 산화인듐주석 로드의 어스펙트 비(aspect ratio)는 4 ~ 30이고,상기 열처리 단계는 400℃ ~ 800℃에서 3시간 내지 4시간 동안 수행되며, 상기 알콜은 에탄올 및 이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 제2 혼합물을 형성하는 단계에서 알콜과 디메틸포름아미드는 0.19 ~ 0.5의 중량비(알콜/디메틸포름아미드)로 혼합되는 산화인듐주석 로드의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 디메틸포름아미드(dimethylformamide)에 인듐 전구체, 주석 전구체 및 테레프탈레이트(terephthalate)를 첨가한 후 교반하여 제1 혼합물을 형성하는 단계;상기 제1 혼합물에 알콜을 첨가한 후 교반하여 제2 혼합물을 형성하는 단계;상기 제2 혼합물을 환류 반응시켜서 침전물을 얻는 단계;상기 침전물을 세척한 후 건조하는 단계; 상기 건조된 침전물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리하는 단계 이후에 산화인듐 주석 로드를 획득하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 전구체는 인듐아세테이트, 질산인듐 및 인듐아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 주석 전구체는 주석아세테이트, 질산주석 및 주석아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 산화인듐주석 로드의 어스펙트 비(aspect ratio)는 4 ~ 30이고,상기 열처리 단계는 400℃ ~ 800℃에서 3시간 내지 4시간 동안 수행되며, 상기 알콜은 에탄올 및 이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 제2 혼합물을 형성하는 단계에서 알콜과 디메틸포름아미드는 0.19 ~ 0.5의 중량비(알콜/디메틸포름아미드)로 혼합되는 산화인듐주석 로드의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 디메틸포름아미드(dimethylformamide)에 인듐 전구체, 주석 전구체 및 테레프탈레이트(terephthalate)를 첨가한 후 교반하여 제1 혼합물을 형성하는 단계;상기 제1 혼합물에 알콜을 첨가한 후 교반하여 제2 혼합물을 형성하는 단계;상기 제2 혼합물을 환류 반응시켜서 침전물을 얻는 단계;상기 침전물을 세척한 후 건조하는 단계; 상기 건조된 침전물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리하는 단계 이후에 산화인듐 주석 로드를 획득하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 전구체는 인듐아세테이트, 질산인듐 및 인듐아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되며,상기 주석 전구체는 주석아세테이트, 질산주석 및 주석아세테이트 수화물로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 산화인듐주석 로드의 어스펙트 비(aspect ratio)는 4 ~ 30이고,상기 열처리 단계는 400℃ ~ 800℃에서 3시간 내지 4시간 동안 수행되며, 상기 알콜은 에탄올 및 이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되고,상기 제2 혼합물을 형성하는 단계에서 알콜과 디메틸포름아미드는 0.19 ~ 0.5의 중량비(알콜/디메틸포름아미드)로 혼합되는 산화인듐주석 로드의 제조방법. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 임상규 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 황성호 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 이수근 | - |
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