본 발명은 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층에 관한 것으로, 구체적으로는 ZnO:Al:Ag 전구체 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 코팅막을 400 ℃ 내지 700 ℃의 온도로 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법에 따르면, 종래에 비해 원료가 저렴하며 제조공정이 간단한 장점이 있고, 특정 은, 알루미늄 몰비의 전구체로부터 특정 온도에서 열처리함으로써 우수한 유효 캐리어 수명을 갖는 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다.
