Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 황대규 | - |
| dc.contributor.author | 고병수 | - |
| dc.contributor.author | 전동환 | - |
| dc.contributor.author | 강진규 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:22:07Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:22:07Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8105 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 (a) Cu, Zn 및 Sn을 동시진공증발법으로 기판에 증착하는 단계; (b) 단계 (a)에서 증착된 박막에 S, Se 또는 S 및 Se을 증착하는 단계; 및 (c) 열처리 단계를 포함하는 CZTS/CZTSe계 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하는 경우 박막 내의 Sn의 소실을 최소화하고, 열처리 시 VI 족 원소를 별도를 공급할 필요가 없으므로, 공정의 비용이 절감되는 이점이 있다. | - |
| dc.title | 태양전지용 CZTS/CZTSe계 박막 및 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTS/CZTSe계 박막 | - |
| dc.title.alternative | PREPARATION METHOD OF CZTS/CZTSe-BASED THIN FILM AND CZTS/CZTse-BASED THIN FILM PREPARED BY THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0107167 | - |
| dc.date.application | 2014-08-18 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1656842 | - |
| dc.date.registration | 2016-09-06 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | CZTS/CZTSe 태양전지의 박막 제조방법으로서,(a) 후면전극이 증착된 기판 위에 상온 내지 400℃에서 동시진공증발법으로 Cu, Zn 및 Sn을 증착하는 단계;(b) 단계 (a)에서 증착된 박막에 S, Se 또는 S 및 Se을 상온 내지 300℃에서 증착하는 단계; 및 (c) 추가의 VI족 원소의 공급 없이, 불활성 기체 분위기 하에서 400 내지 650℃로 열처리하는 단계를 포함하며,상기 단계 (a)의 [Zn]/[Sn]의 원소비가 1.0 내지 1.2이고, 상기 단계 (a)의 [Cu]/[Zn+Sn] 원소비가 0.8 내지 0.9이며, 상기 단계 (b)의 [S, Se 또는 S 및 Se]/[Cu+Zn+Sn]의 원소비가 1.2 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 방법. | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Division of Energy Technology 3. Patents
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