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CIGS 박막 제조 방법과 CIGS 박막 태양전지
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dc.contributor.author 이수재 ko
dc.contributor.author 김대환 ko
dc.contributor.author 한윤수 ko
dc.contributor.author 성시준 ko
dc.contributor.author 이동하 ko
dc.contributor.author 강진규 ko
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:23:20Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:23:20Z -
dc.date.issued 2009-08-21 -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8133 -
dc.description.abstract 본 발명의 실시예는, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 전착용액과 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압 조건으로 실시되는 전착법으로 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) 층의 광흡수층 형성을 위해 금속 전구체를 이용하여 이온화된 구리(Cu), 인듐(In), 칼슘(Ca), 셀렌(Se) 성분을 전착하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법을 제공한다. -
dc.title CIGS 박막 제조 방법과 CIGS 박막 태양전지 -
dc.title.alternative Fabrication Method of CIGS and CIGS Solar Cell -
dc.type Patent -
dc.type.rims PAT -
dc.identifier.bibliographicCitation 이수재. (2009-08-21). CIGS 박막 제조 방법과 CIGS 박막 태양전지. -
dc.contributor.nonIdAuthor 이수재 -
dc.contributor.nonIdAuthor 한윤수 -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2009-0077813 -
dc.date.application 2009-08-21 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1081443 -
dc.date.registration 2011-11-02 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌 중 1종 이상의 원소가 포함된 전구체 용액과, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 용액을 혼합하여 전착용액을 제조하는 단계; 및전극층이 형성된 기판에 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압을 인가하여 이온화된 상기 구리, 상기 인듐, 상기 갈륨, 상기 셀렌 성분 중 1종 이상의 성분을 상기 전극층 상에 부착시켜 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2,N=0-3)을 포함하는 광흡수층 형성하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법. -
dc.description.claim 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌 중 1종 이상의 원소가 포함된 전구체 용액과, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 용액을 혼합하여 전착용액을 제조하는 단계; 및전극층이 형성된 기판에 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압을 인가하여 이온화된 상기 구리, 상기 인듐, 상기 갈륨, 상기 셀렌 성분 중 1종 이상의 성분을 상기 전극층 상에 부착시켜 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2,N=0-3)을 포함하는 광흡수층 형성하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법. -
dc.description.claim 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌 중 1종 이상의 원소가 포함된 전구체 용액과, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 용액을 혼합하여 전착용액을 제조하는 단계; 및전극층이 형성된 기판에 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압을 인가하여 이온화된 상기 구리, 상기 인듐, 상기 갈륨, 상기 셀렌 성분 중 1종 이상의 성분을 상기 전극층 상에 부착시켜 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2,N=0-3)을 포함하는 광흡수층 형성하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법. -
dc.description.claim 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌 중 1종 이상의 원소가 포함된 전구체 용액과, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 용액을 혼합하여 전착용액을 제조하는 단계; 및전극층이 형성된 기판에 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압을 인가하여 이온화된 상기 구리, 상기 인듐, 상기 갈륨, 상기 셀렌 성분 중 1종 이상의 성분을 상기 전극층 상에 부착시켜 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2,N=0-3)을 포함하는 광흡수층 형성하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법. -
dc.description.claim 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌 중 1종 이상의 원소가 포함된 전구체 용액과, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 용액을 혼합하여 전착용액을 제조하는 단계; 및전극층이 형성된 기판에 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압을 인가하여 이온화된 상기 구리, 상기 인듐, 상기 갈륨, 상기 셀렌 성분 중 1종 이상의 성분을 상기 전극층 상에 부착시켜 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2,N=0-3)을 포함하는 광흡수층 형성하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법. -
dc.description.claim 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌 중 1종 이상의 원소가 포함된 전구체 용액과, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 용액을 혼합하여 전착용액을 제조하는 단계; 및전극층이 형성된 기판에 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압을 인가하여 이온화된 상기 구리, 상기 인듐, 상기 갈륨, 상기 셀렌 성분 중 1종 이상의 성분을 상기 전극층 상에 부착시켜 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2,N=0-3)을 포함하는 광흡수층 형성하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법. -
dc.description.claim 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌 중 1종 이상의 원소가 포함된 전구체 용액과, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 용액을 혼합하여 전착용액을 제조하는 단계; 및전극층이 형성된 기판에 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압을 인가하여 이온화된 상기 구리, 상기 인듐, 상기 갈륨, 상기 셀렌 성분 중 1종 이상의 성분을 상기 전극층 상에 부착시켜 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2,N=0-3)을 포함하는 광흡수층 형성하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법. -
dc.identifier.iprsType 특허 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 김대환 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 성시준 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 이동하 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 강진규 -
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김대환
Kim, Dae-Hwan김대환

Division of Energy & Environmental Technology

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