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질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드

Title
질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드
Translated Title
Preparation method of N-doped reduced graphene oxide and the N-doped reduced graphene oxide thereby
Inventors
백성호김재현피로즈칸
DGIST Inventors
백성호김재현
Country
KO
Application Date
2015-04-24
Application No.
10-2015-0057963
Registration Date
2017-05-18
Registration No.
10-1739347
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/8169
https://doi.org/10.8080/1020150057963KIPRIS
Abstract
본 발명은 그래핀 옥사이드(graphene oxide, GO) 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 제조된 혼합 용액을 가열하는 단계(단계 2);를 포함하는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법를 제공한다. 본 발명에 따른 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법은 질소 도펀트로서 테트라메틸암모늄 하이드록사이드라는 4 차 암모늄염을 사용함으로써 저온에서도 충분한 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드를 제조할 수 있다. 또한, 그래핀 옥사이드 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드의 혼합 비율을 조절함으로써 질소 도핑 레벨(doping level)을 조절할 수 있다. 나아가, 별도의 첨가제를 포함하지 않고 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드를 제조할 수 있기 때문에 친환경적이고, 액상 공정으로 대량 생산이 가능하다.
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Smart Textile Convergence Research Group3. Patents


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