본 발명은 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내에 구비된 증발원 담지부; 상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되는 기판 배치부; 상기 증발원 담지부 및 기판 배치부를 가열시키는 가열부;를 포함하는 화합물 반도체의 제조장치를 이용한 화합물 반도체의 제조방법에 있어서, 증발원 담지부에 VIA족 원소 혼합물을 위치시키는 단계(단계 1); 표면에 시편이 형성된 기판을 반응 챔버 내 기판 배치부에 위치시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 1에서 VIA족 원소 혼합물을 위치시킨 증발원 담지부를 가열하여 VIA족 원소 혼합물을 기판 표면의 시편으로 공급하는 단계(단계 3);를 포함하는 화합물 반도체의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체의 제조방법은 VIA족 원소 혼합물을 형성하고 이를 고온으로 가열함으로써 VIA족 원소 혼합물, 특히 황 및 셀레늄 원소 혼합물의 열분해를 동시에 유도할 수 있다. 이에 따라, 황 및 셀레늄 등의 원소의 조성비를 미리 조절하여 원하는 조성비의 혼합물을 증착시킬 수 있다. 또한, 혼합물 원소의 조성비를 조절하여 넓은 범위에서 손쉽게 기화 온도의 제어가 가능하다. 나아가, VIA족 원소 혼합물을 사용하여 열처리함으로써, 열처리 온도, 결정 성장 특성, 밴드갭 등의 제어가 가능하므로 고품질 반도체 제작이 가능하다.
Research Interests
Thin Film Solar Cells; 박막태양전지; Compound Semiconductor Materials & Processes; 화합물 반도체 재료 및 공정; Optoelectronic Devices based on Micro-Optical Structures; 미세 광학 구조 기반 광전자소자; Organic/Inorganic/Metallic Hybrid Thin Films & Applications; 유무기금속 하이브리드 박막