금속산화물 나노선 ＦＥＴ 센서 제조방법

Abstract

본 발명은 금속산화물 FET 센서의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 산화규소(SiO2)층을 가지는 기판에 금속산화물 나노선을 형성시키고 나노선 양쪽 끝부분에 소스 및 드레인 전극을 형성시킨 후, 기판 위에 산화규소와 유전율이 유사한 유기물을 코팅하고 플라즈마 애싱(plasma ashing) 처리함으로써, 금속산화물 나노선과 산화규소층 사이의 나노선의 아래쪽 절반 부분만 유기물 게이트로 코팅되고 나노선의 위쪽 절반부분은 센싱부분으로 남게 되는 구조를 갖는 금속산화물 나노선 FET 센서를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 방법에 따라 제조된 금속산화물 나노선 FET 센서는, 금속산화물 나노선과 게이트 산화물 사이에 나노선의 아래쪽 절반 부분만 추가적인 유기물 게이트로 코팅되어 있고 나노선의 위쪽 절반 부분은 센싱 부분으로 남게 되는 구조를 갖는다. 따라서 본 발명의 금속산화물 나노선 FET 센서는 백게이트 산화물과 금속산화물 나노선 사이의 접촉 향상에 따른 전기적 특성 및 FET 특성이 향상되어 센서 감지도 및 성능을 향상시킬 수 있다.