Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 강진규 | - |
dc.contributor.author | 김대환 | - |
dc.contributor.author | 성시준 | - |
dc.contributor.author | 이재백 | - |
dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:28:46Z | - |
dc.date.available | 2018-07-11T12:28:46Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8289 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 이차전지 양극용 보호층 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이차전지 양극 상에 배치되는 Al(2/3)xZnxO 보호층을 적용함으로써 기존의 이차전지 양극의 충방전에 따른 안정성 저하 억제 및 효율 특성 개선 가능한 초박막 산화물 반도체 기술에 관한 것이다. | - |
dc.title | 이차전지 양극용 보호층 및 그 제조 방법 | - |
dc.type | Patent | - |
dc.publisher.country | KO | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0124842 | - |
dc.date.application | 2016-09-28 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1830254 | - |
dc.date.registration | 2018-02-12 | - |
dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
dc.type.iprs | 특허 | - |
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