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dc.contributor.author 강진규 -
dc.contributor.author 김대환 -
dc.contributor.author 성시준 -
dc.contributor.author 이재백 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:28:46Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:28:46Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8289 -
dc.description.abstract 본 발명은 이차전지 양극용 보호층 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이차전지 양극 상에 배치되는 Al(2/3)xZnxO 보호층을 적용함으로써 기존의 이차전지 양극의 충방전에 따른 안정성 저하 억제 및 효율 특성 개선 가능한 초박막 산화물 반도체 기술에 관한 것이다. -
dc.title 이차전지 양극용 보호층 및 그 제조 방법 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2016-0124842 -
dc.date.application 2016-09-28 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1830254 -
dc.date.registration 2018-02-12 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy & Environmental Technology 3. Patents

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