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dc.contributor.author 김대환 ko
dc.contributor.author 강진규 ko
dc.contributor.author 양기정 ko
dc.contributor.author 권재민 ko
dc.contributor.author 손대호 ko
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:34:02Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:34:02Z -
dc.date.issued 2013-09-27 -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8431 -
dc.description.abstract 본 발명은 금속-황화 물질 등으로 구성된 전구체를 셀렌화 열처리 또는 황화 열처리하여 CZTS(Se)계 박막 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 고온 열처리시 발생하는 MoSe2 층을 제어하고, 광흡수층 박막 내의 S/Se의 조성비 조절이 용이한 열처리 공정 방법에 관한 것이다. -
dc.title 박막 태양전지 및 이의 제조방법 -
dc.title.alternative THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME -
dc.type Patent -
dc.type.rims PAT -
dc.contributor.nonIdAuthor 권재민 -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2013-0115672 -
dc.date.application 2013-09-27 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1542343 -
dc.date.registration 2015-07-31 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
dc.description.claim CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. -
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dc.identifier.iprsType 특허 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 김대환 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 강진규 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 양기정 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 손대호 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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