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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김대환 | ko |
| dc.contributor.author | 강진규 | ko |
| dc.contributor.author | 양기정 | ko |
| dc.contributor.author | 권재민 | ko |
| dc.contributor.author | 손대호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:34:02Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:34:02Z | - |
| dc.date.issued | 2013-09-27 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8431 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 금속-황화 물질 등으로 구성된 전구체를 셀렌화 열처리 또는 황화 열처리하여 CZTS(Se)계 박막 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 고온 열처리시 발생하는 MoSe2 층을 제어하고, 광흡수층 박막 내의 S/Se의 조성비 조절이 용이한 열처리 공정 방법에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 박막 태양전지 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 김대환. (2013-09-27). 박막 태양전지 및 이의 제조방법. | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 권재민 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0115672 | - |
| dc.date.application | 2013-09-27 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1542343 | - |
| dc.date.registration | 2015-07-31 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.description.claim | CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서,기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 (A);상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 증착하여 금속 전구체층을 형성하는 단계 (B); 및상기 금속 전구체층을 단계적으로 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (C)를 포함하며, 상기 단계 (C)가 셀렌화 분위기 하에서 420℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하는 단계 (c1); 및 황화 분위기 하에서 560℃ 내지 610℃의 온도로 열처리하는 단계 (c2)를 포함하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 단계 (c2)에서의 열처리 시간을 10 분 내지 60 분으로 제어함으로써 광흡수층 내의 S/Se의 조성비를 1.0 내지 2.5로 조절하는 것을 특징으로 하는, CZTS(Se)계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김대환 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 강진규 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 양기정 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 손대호 | - |
