Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 손대호 | ko |
| dc.contributor.author | 강진규 | ko |
| dc.contributor.author | 황대규 | ko |
| dc.contributor.author | 성시준 | ko |
| dc.contributor.author | 김대환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:35:02Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:35:02Z | - |
| dc.date.issued | 2011-11-17 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8454 | - |
| dc.description.abstract | 비휘발성 저항 변화 메모리 소자가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 저항 변화 메모리 소자는 기판 상에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상에 형성되고 탄탈늄(Ta), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 바나듐(V) 및 이트륨(Y) 중 적어도 1종의 금속 물질을 포함하는 사원계의 산화물 반도체 박막; 및 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함한다. | - |
| dc.title | 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 | - |
| dc.title.alternative | NON-VOLATILE RESISTANCE MEMORY DEVICE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0120208 | - |
| dc.date.application | 2011-11-17 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1283767 | - |
| dc.date.registration | 2013-07-02 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, TaInSnO로 이루어진 사원계의 산화물 반도체 박막; 및상기 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막은, 금속 함유량은 원자 개수 조성 비율 (At %)은 Ta/(In+Sn)= 0.2~ 0.5, In/(Ta+Sn) = 1.5 ~ 3.0 및 Sn/(Ta+In) = 0.07 ~ 0.09 내이며, Ta 비율을 조절하여 전기적 특성을 변화시키는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 손대호 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 강진규 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 황대규 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 성시준 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김대환 | - |
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