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dc.contributor.author 고병수 -
dc.contributor.author 강진규 -
dc.contributor.author 황대규 -
dc.contributor.author 전동환 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:36:55Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:36:55Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8506 -
dc.description.abstract 본 기재는 CZTS계 태양전지의 박막 제조방법에 관한 것으로,Cu 전구체, Zn 전구체, Sn 전구체 및 VI족 원소 전구체를 포함하는 금속 전구체를 제공하는 단계; 기판을 준비하는 단계; 기판 위에 후면 전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 상기 금속 전구체를 증착하여 전구체층을 형성하는 단계; 및 상기 전구체층을 열처리하여 광흡수층을 제조하는 단계를 포함하며, 상기 금속 전구체 내의 [VI족 원소]/[Cu+Zn+Sn]의 원소비가 1.2 이상인 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것이다. -
dc.title CZTS계 태양전지의 박막 제조방법 및 이로부터 제조된 태양전지 -
dc.title.alternative Fabrication of thin film for CZTS or CZTSe solar cell and solar cell made therefrom -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2013-0115670 -
dc.date.application 2013-09-27 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1542342 -
dc.date.registration 2015-07-31 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim CZTS계 태양전지의 박막 제조방법으로서, Cu 전구체, Zn 전구체, Sn 전구체 및 VI족 원소 전구체를 포함하는 금속 전구체를 제공하는 단계; 기판을 준비하는 단계; 기판 위에 후면 전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 상기 금속 전구체를 동시증발증착법으로 증착하여 전구체층을 형성하는 단계; 및 VI족 원소의 공급없이 상기 전구체층을 700 내지 800 Torr의 압력에서 500 내지 650℃의 온도 범위로 1 내지 20 분 동안 열처리하여 광흡수층을 제조하는 단계를 포함하며,상기 금속 전구체 내의 [VI족 원소]/[Cu+Zn+Sn]의 원소비가 1.2 이상인 것을 특징으로 하는 방법. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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