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고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법
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- Title
- 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법
- Alternative Title
- fNIR Photo-Detector for high resolution brain imaging and the Fabrication Method Thereof
- Country
- KO
- Application Date
- 2015-10-30
- Application No.
- 10-2015-0152079
- Registration Date
- 2017-09-12
- Publication No.
- 10-1779526
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
-
본 발명은 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디텍터소자의 표면을 피라미드 형태로 에칭함으로써 표면에 조사된 빛의 반사율을 개선함으로써 여러 각도에서 균일하게 빛에 반응할 수 있으며, 나노크리스탈층을 형성하여 사용자가 강화하고 싶은 빛의 영역대를 선택할 수 있도록 하여 흡수파장 조절이 가능하게 함으로써 인체에서 발생하는 근적외선을 안정적이면서 정밀하게 검출할 수 있는 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 선기능근적외 디텍터소자는 기판층; 상기 기판 상에 형성되는 나노크리스탈층;을 포함하고, 상기 기판층의 상부표면은 피라미드 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
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