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dc.contributor.author 양기정 -
dc.contributor.author 박시내 -
dc.contributor.author 성시준 -
dc.contributor.author 김대환 -
dc.contributor.author 강진규 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:41:20Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:41:20Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8625 -
dc.description.abstract 본 발명은 CZTS계 태양전지용 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 (a) 구리 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체 및 VI족 원소의 전구체를 함유하는 CZTS계 광흡수층 전구체 용액을 준비하는 단계; (b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 1차 도포하고 전열처리한 후, VI족 원소 함유 기체 분위기 하에서 1차 열처리를 수행하는 단계; 및 (c) 상기 열처리된 전구체 용액의 도포층 위에 금속 전구체 용액을 2차 도포한 후 전열처리 하여, VI족 원소 함유 기체 분위기 하에서 2차 열처리를 수행하여 CZTS계 광흡수층을 제조하는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다. -
dc.title CZTS계 태양전지용 박막의 제조방법 -
dc.title.alternative A method for preparing CZTS thin film for solar cell -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2014-0146057 -
dc.date.application 2014-10-27 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1583026 -
dc.date.registration 2015-12-30 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim CZTS계 태양전지용 박막의 제조방법으로서,(a) 구리 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체 및 VI족 원소의 전구체를 함유하는 CZTS계 광흡수층 전구체 용액을 준비하는 단계;(b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 1차 도포하고 200℃ 내지 400℃의 온도에서 5분 내지 120분 동안 전열처리한 후, VI족 원소 함유 기체 분위기 하에서 450℃ 내지 800℃의 온도에서 10분 내지 120분 동안 1차 열처리를 수행하는 단계; 및(c) 상기 열처리된 전구체 용액의 도포층 위에 금속 전구체 용액을 2차 도포하고,VI족 원소 함유 기체 분위기 하에서 450℃ 내지 800℃의 온도에서 10분 내지 120분 동안 2차 열처리를 수행하여 CZTS계 광흡수층을 제조하는 단계를 포함하는 방법. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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