Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김정혜 | ko |
| dc.contributor.author | 손대호 | ko |
| dc.contributor.author | 정은애 | ko |
| dc.contributor.author | 김대환 | ko |
| dc.contributor.author | 성시준 | ko |
| dc.contributor.author | 강진규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:42:12Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:42:12Z | - |
| dc.date.issued | 2010-11-05 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8647 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 활성층은 In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하이다. | - |
| dc.title | 비휘발성 저항변화 메모리 소자 | - |
| dc.title.alternative | Non-volatile Resistance memory Device | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김정혜 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정은애 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0109706 | - |
| dc.date.application | 2010-11-05 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1069124 | - |
| dc.date.registration | 2011-09-26 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 상부전극 및 하부전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자에 있어서,상기 활성층은In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 상부전극 및 하부전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자에 있어서,상기 활성층은In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 상부전극 및 하부전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자에 있어서,상기 활성층은In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 상부전극 및 하부전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자에 있어서,상기 활성층은In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 상부전극 및 하부전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자에 있어서,상기 활성층은In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 상부전극 및 하부전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자에 있어서,상기 활성층은In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자. | - |
| dc.description.claim | 상부전극 및 하부전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자에 있어서,상기 활성층은In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 손대호 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김대환 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 성시준 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 강진규 | - |
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