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dc.contributor.author 우성호 ko
dc.contributor.author 김욱현 ko
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:43:20Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:43:20Z -
dc.date.issued 2013-10-01 -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8675 -
dc.description.abstract 본 발명은 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법 및 이에 따라 제조되는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극에 관한 것으로, 상세하게는 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 SiO2패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법 및 이에 따라 제조되는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극을 제공한다. 본 발명은 SiO2로 패턴된 기판상에 금속 시드(seed)층을 형성하여 금속 나노와이어를 성장시킴으로써, 종래 금속 나노와이어를 먼저 합성하고 이를 코팅 후 패터닝 하던 것과 달리, 복잡하고 어려운 공정이 요구되지 않아 간편하며 제작 비용이 감소하는 효과가 있다. 또한, 기판 상에서 직접 나노 와이어가 합성되므로, 기판과 나노 와이어간의 접착성이 증대될 수 있다. -
dc.title 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법 및 이에 따라 제조되는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 -
dc.title.alternative The method for manufacturing patterned metal nanowire transparent electrode and the patterned metal nanowire transparent electrode thereby -
dc.type Patent -
dc.type.rims PAT -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2013-0117565 -
dc.date.application 2013-10-01 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1514743 -
dc.date.registration 2015-04-17 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 SiO2 패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하되,상기 단계 2의 금속 시드 층의 형성은 커플링제를 이용하여 수행되고,상기 커플링제는 3-아미노프로필트리에톡시실레인, 4-아미노프로필트리메톡시실레인 및 4-아미노부틸트리메톡시실레인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아미노알킬실레인인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법. -
dc.description.claim 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 SiO2 패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하되,상기 단계 2의 금속 시드 층의 형성은 커플링제를 이용하여 수행되고,상기 커플링제는 3-아미노프로필트리에톡시실레인, 4-아미노프로필트리메톡시실레인 및 4-아미노부틸트리메톡시실레인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아미노알킬실레인인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법. -
dc.description.claim 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 SiO2 패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하되,상기 단계 2의 금속 시드 층의 형성은 커플링제를 이용하여 수행되고,상기 커플링제는 3-아미노프로필트리에톡시실레인, 4-아미노프로필트리메톡시실레인 및 4-아미노부틸트리메톡시실레인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아미노알킬실레인인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법. -
dc.description.claim 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 SiO2 패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하되,상기 단계 2의 금속 시드 층의 형성은 커플링제를 이용하여 수행되고,상기 커플링제는 3-아미노프로필트리에톡시실레인, 4-아미노프로필트리메톡시실레인 및 4-아미노부틸트리메톡시실레인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아미노알킬실레인인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법. -
dc.description.claim 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 SiO2 패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하되,상기 단계 2의 금속 시드 층의 형성은 커플링제를 이용하여 수행되고,상기 커플링제는 3-아미노프로필트리에톡시실레인, 4-아미노프로필트리메톡시실레인 및 4-아미노부틸트리메톡시실레인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아미노알킬실레인인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법. -
dc.description.claim 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 SiO2 패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하되,상기 단계 2의 금속 시드 층의 형성은 커플링제를 이용하여 수행되고,상기 커플링제는 3-아미노프로필트리에톡시실레인, 4-아미노프로필트리메톡시실레인 및 4-아미노부틸트리메톡시실레인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아미노알킬실레인인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법. -
dc.description.claim 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 SiO2 패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하되,상기 단계 2의 금속 시드 층의 형성은 커플링제를 이용하여 수행되고,상기 커플링제는 3-아미노프로필트리에톡시실레인, 4-아미노프로필트리메톡시실레인 및 4-아미노부틸트리메톡시실레인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아미노알킬실레인인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법. -
dc.identifier.iprsType 특허 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 우성호 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 김욱현 -
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