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dc.contributor.author 손대호 -
dc.contributor.author 강진규 -
dc.contributor.author 심준형 -
dc.contributor.author 양기정 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:46:55Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:46:55Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8774 -
dc.description.abstract 본 발명은 CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상에 후면전극을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 후면전극 상에 에너지빔을 조사하여 후면전극을 재결정화하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 후면전극 상에 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4) 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 CZTS 박막 태양전지의 제조방법에 따르면, 후면전극을 재결정화함으로써 후면전극과 CZTS 박막 사이에 발생할 수 있는 계면화합물을 억제할 수 있어, 후면 전극 장벽을 낮춰서 정공의 흐름을 향상시키고, 소자의 직렬 저항을 개선해서 충진률(Fill Factor)을 향상시켜 전체적인 소자의 효율이 향상되는 효과가 있다. 또한, 후면전극의 재결정화가 에너지빔을 통하여 저온에서 수행되므로, 소다석회유리와 같이 광흡수층의 특성을 향상시킬 수 있는 기판을 사용할 수 있는 장점이 있다. -
dc.title CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지 -
dc.title.alternative Method of manufacturimg of CZTS-based thin film solar cell and CZTS-based thin film solar cell thereby -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2015-0110499 -
dc.date.application 2015-08-05 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1646556 -
dc.date.registration 2016-08-02 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 기판 상에 몰리브덴을 포함하는 후면전극을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 후면전극 상에 1 keV 내지 4 keV의 파워를 갖는 에너지빔을 60초 동안 조사하여 후면전극을 재결정화하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 후면전극 상에 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4) 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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