Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 강진규 | ko |
| dc.contributor.author | 조효정 | ko |
| dc.contributor.author | 김대환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:49:06Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:49:06Z | - |
| dc.date.issued | 2013-11-05 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8834 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 염료감응 태양전지, 이를 이용한 온실 및 이에 사용되는 염료에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 식물생장에 필요한 파장에 대한 광투과성이 우수한 염료 및 이러한 염료를 이용하여 입사광 중 특정 파장의 광은 투과시키고 나머지 광은 태양광 발전에 이용하는 염료감응 태양전지, 그리고 이러한 염료감응 태양전지를 이용한 온실에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 염료감응 태양전지, 이를 이용한 온실 및 이에 사용되는 염료 | - |
| dc.title.alternative | A DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, GREENHOUSE USING IT AND DYE FOR IT | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0133253 | - |
| dc.date.application | 2013-11-05 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1469504 | - |
| dc.date.registration | 2014-12-01 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) | - |
| dc.description.claim | 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) | - |
| dc.description.claim | 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) | - |
| dc.description.claim | 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) | - |
| dc.description.claim | 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) | - |
| dc.description.claim | 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 강진규 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김대환 | - |
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