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dc.contributor.author 강진규 ko
dc.contributor.author 조효정 ko
dc.contributor.author 김대환 ko
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:49:06Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:49:06Z -
dc.date.issued 2013-11-05 -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8834 -
dc.description.abstract 본 발명은 염료감응 태양전지, 이를 이용한 온실 및 이에 사용되는 염료에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 식물생장에 필요한 파장에 대한 광투과성이 우수한 염료 및 이러한 염료를 이용하여 입사광 중 특정 파장의 광은 투과시키고 나머지 광은 태양광 발전에 이용하는 염료감응 태양전지, 그리고 이러한 염료감응 태양전지를 이용한 온실에 관한 것이다. -
dc.title 염료감응 태양전지, 이를 이용한 온실 및 이에 사용되는 염료 -
dc.title.alternative A DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, GREENHOUSE USING IT AND DYE FOR IT -
dc.type Patent -
dc.type.rims PAT -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2013-0133253 -
dc.date.application 2013-11-05 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1469504 -
dc.date.registration 2014-12-01 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) -
dc.description.claim 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) -
dc.description.claim 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) -
dc.description.claim 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) -
dc.description.claim 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) -
dc.description.claim 반도체 산화물층이 형성된 제 1전극, 상기 제 1전극과 대향하는 제 2전극, 및 상기 제 1전극의 반도체 산화물층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 하나와, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 혼합한 혼합염료인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.<화학식 1>[이미지](상기 화학식 1에서, X는 C 또는 N이고, Y는 단일결합, C 또는 S이며, R, L1및 L2는 서로 독립적으로 단일결합, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, A 및 B는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C2~C20의 알켄일, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, 상기 아릴, 헤테로고리, 알킬 또는 알켄일은 C1~C20의 알킬, CF3, 시아노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나로 치환될 수 있음) <화학식 2> [이미지](상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴, C2~C30의 헤테로고리 또는 카르복실기이며, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리이며, R은 수소, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 3>[이미지](상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 할로겐, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임)<화학식 4>[이미지](상기 화학식 4에서, Z1~Z4는 서로 독립적으로 C 또는 N이며, R11~R14는 서로 독립적으로, C1~C20의 알킬, C6~C30의 아릴 또는 C2~C30의 헤테로고리임) -
dc.identifier.iprsType 특허 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 강진규 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 김대환 -
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