Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 조효정 | ko |
dc.contributor.author | 강진규 | ko |
dc.contributor.author | 심교승 | ko |
dc.contributor.author | 성시준 | ko |
dc.contributor.author | 김효정 | ko |
dc.contributor.author | 김대환 | ko |
dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:49:08Z | - |
dc.date.available | 2018-07-11T12:49:08Z | - |
dc.date.issued | 2011-05-12 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8835 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 빛의 입사에 따라 생성된 여기전자를 외부로 공급하는 광전극부, 외부로부터 전자가 유입되는 금속막과, 상기 금속막 상에 위치하여 전자의 이동을 위한 환원을 촉진하는 촉매층을 포함하는 상대전극부 및 상기 광전극부와 상기 상대전극부 사이에 위치하여 산화/환원 반응을 통하여 상기 상대전극부로부터 전자를 받아 상기 광전극부로 전자를 전달하는 전해질을 포함한다. | - |
dc.title | 염료감응 태양전지 및 그의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Dye-Sensitized Solar Cell and Method for the same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 심교승 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김효정 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0044462 | - |
dc.date.application | 2011-05-12 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1219488 | - |
dc.date.registration | 2013-01-02 | - |
dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
dc.description.claim | 빛의 입사에 따라 생성된 여기전자를 외부로 공급하며, 투명전극, 입사된 빛에 의하여 전자를 생성하는 감광성 염료 및 상기 투명전극과 상기 감광성 염료 사이에 위치하여 생성된 전자를 상기 투명전극으로 전달하는 산화물 반도체를 포함하는 광전극부;외부로부터 전자가 유입되는 금속막과, 상기 금속막 상에 위치하여 전자의 이동을 위한 환원을 촉진하는 촉매층을 포함하는 상대전극부;상기 광전극부와 상기 상대전극부 사이에 위치하여 산화/환원 반응을 통하여 상기 상대전극부로부터 전자를 받아 상기 광전극부로 전자를 전달하는 전해질; 및상기 상대전극부를 지지하는 지지체; 또는상기 촉매층의 맞은 편 상기 금속막 상에 형성된 절연피막;을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 투명전극은 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 알루미늄 아연 옥사이드(AZO), 안티몬 틴 옥사이드(ATO) 중 둘 이상의 혼합물로 이루어지며,상기 산화물 반도체는 티탄(Ti), 아연(Zn), 실리콘(Si), 주석(Sn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr) 등으로 이루어진 금속 군에서 선택되는 금속 산화물 및 산화 티타늄(TiO2) 중 둘 이상을 혼합하여 사용되며,상기 금속막은 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 금속과 몰리브덴(Mo)으로 이루어져 있고, 빛의 투과율 및 전기저항이 상기 투명전극보다 작은 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | - |
dc.description.claim | 빛의 입사에 따라 생성된 여기전자를 외부로 공급하며, 투명전극, 입사된 빛에 의하여 전자를 생성하는 감광성 염료 및 상기 투명전극과 상기 감광성 염료 사이에 위치하여 생성된 전자를 상기 투명전극으로 전달하는 산화물 반도체를 포함하는 광전극부;외부로부터 전자가 유입되는 금속막과, 상기 금속막 상에 위치하여 전자의 이동을 위한 환원을 촉진하는 촉매층을 포함하는 상대전극부;상기 광전극부와 상기 상대전극부 사이에 위치하여 산화/환원 반응을 통하여 상기 상대전극부로부터 전자를 받아 상기 광전극부로 전자를 전달하는 전해질; 및상기 상대전극부를 지지하는 지지체; 또는상기 촉매층의 맞은 편 상기 금속막 상에 형성된 절연피막;을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 투명전극은 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 알루미늄 아연 옥사이드(AZO), 안티몬 틴 옥사이드(ATO) 중 둘 이상의 혼합물로 이루어지며,상기 산화물 반도체는 티탄(Ti), 아연(Zn), 실리콘(Si), 주석(Sn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr) 등으로 이루어진 금속 군에서 선택되는 금속 산화물 및 산화 티타늄(TiO2) 중 둘 이상을 혼합하여 사용되며,상기 금속막은 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 금속과 몰리브덴(Mo)으로 이루어져 있고, 빛의 투과율 및 전기저항이 상기 투명전극보다 작은 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | - |
dc.description.claim | 빛의 입사에 따라 생성된 여기전자를 외부로 공급하며, 투명전극, 입사된 빛에 의하여 전자를 생성하는 감광성 염료 및 상기 투명전극과 상기 감광성 염료 사이에 위치하여 생성된 전자를 상기 투명전극으로 전달하는 산화물 반도체를 포함하는 광전극부;외부로부터 전자가 유입되는 금속막과, 상기 금속막 상에 위치하여 전자의 이동을 위한 환원을 촉진하는 촉매층을 포함하는 상대전극부;상기 광전극부와 상기 상대전극부 사이에 위치하여 산화/환원 반응을 통하여 상기 상대전극부로부터 전자를 받아 상기 광전극부로 전자를 전달하는 전해질; 및상기 상대전극부를 지지하는 지지체; 또는상기 촉매층의 맞은 편 상기 금속막 상에 형성된 절연피막;을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 투명전극은 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 알루미늄 아연 옥사이드(AZO), 안티몬 틴 옥사이드(ATO) 중 둘 이상의 혼합물로 이루어지며,상기 산화물 반도체는 티탄(Ti), 아연(Zn), 실리콘(Si), 주석(Sn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr) 등으로 이루어진 금속 군에서 선택되는 금속 산화물 및 산화 티타늄(TiO2) 중 둘 이상을 혼합하여 사용되며,상기 금속막은 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 금속과 몰리브덴(Mo)으로 이루어져 있고, 빛의 투과율 및 전기저항이 상기 투명전극보다 작은 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | - |
dc.description.claim | 빛의 입사에 따라 생성된 여기전자를 외부로 공급하며, 투명전극, 입사된 빛에 의하여 전자를 생성하는 감광성 염료 및 상기 투명전극과 상기 감광성 염료 사이에 위치하여 생성된 전자를 상기 투명전극으로 전달하는 산화물 반도체를 포함하는 광전극부;외부로부터 전자가 유입되는 금속막과, 상기 금속막 상에 위치하여 전자의 이동을 위한 환원을 촉진하는 촉매층을 포함하는 상대전극부;상기 광전극부와 상기 상대전극부 사이에 위치하여 산화/환원 반응을 통하여 상기 상대전극부로부터 전자를 받아 상기 광전극부로 전자를 전달하는 전해질; 및상기 상대전극부를 지지하는 지지체; 또는상기 촉매층의 맞은 편 상기 금속막 상에 형성된 절연피막;을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 투명전극은 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 알루미늄 아연 옥사이드(AZO), 안티몬 틴 옥사이드(ATO) 중 둘 이상의 혼합물로 이루어지며,상기 산화물 반도체는 티탄(Ti), 아연(Zn), 실리콘(Si), 주석(Sn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr) 등으로 이루어진 금속 군에서 선택되는 금속 산화물 및 산화 티타늄(TiO2) 중 둘 이상을 혼합하여 사용되며,상기 금속막은 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 금속과 몰리브덴(Mo)으로 이루어져 있고, 빛의 투과율 및 전기저항이 상기 투명전극보다 작은 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | - |
dc.description.claim | 빛의 입사에 따라 생성된 여기전자를 외부로 공급하며, 투명전극, 입사된 빛에 의하여 전자를 생성하는 감광성 염료 및 상기 투명전극과 상기 감광성 염료 사이에 위치하여 생성된 전자를 상기 투명전극으로 전달하는 산화물 반도체를 포함하는 광전극부;외부로부터 전자가 유입되는 금속막과, 상기 금속막 상에 위치하여 전자의 이동을 위한 환원을 촉진하는 촉매층을 포함하는 상대전극부;상기 광전극부와 상기 상대전극부 사이에 위치하여 산화/환원 반응을 통하여 상기 상대전극부로부터 전자를 받아 상기 광전극부로 전자를 전달하는 전해질; 및상기 상대전극부를 지지하는 지지체; 또는상기 촉매층의 맞은 편 상기 금속막 상에 형성된 절연피막;을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 투명전극은 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 알루미늄 아연 옥사이드(AZO), 안티몬 틴 옥사이드(ATO) 중 둘 이상의 혼합물로 이루어지며,상기 산화물 반도체는 티탄(Ti), 아연(Zn), 실리콘(Si), 주석(Sn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr) 등으로 이루어진 금속 군에서 선택되는 금속 산화물 및 산화 티타늄(TiO2) 중 둘 이상을 혼합하여 사용되며,상기 금속막은 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 금속과 몰리브덴(Mo)으로 이루어져 있고, 빛의 투과율 및 전기저항이 상기 투명전극보다 작은 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 강진규 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 성시준 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 김대환 | - |
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