Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 성시준 | ko |
| dc.contributor.author | 김대환 | ko |
| dc.contributor.author | 강진규 | ko |
| dc.contributor.author | 손대호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:51:10Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:51:10Z | - |
| dc.date.issued | 2009-07-17 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8885 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 실시예는, 기판 상에 위치하는 하부전극과, 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 저항 메모리소자의 저항값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자를 제공한다. | - |
| dc.title | 비휘발성 저항 메모리소자 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0065532 | - |
| dc.date.application | 2009-07-17 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1004736 | - |
| dc.date.registration | 2010-12-22 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 위치하는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 상기 저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 위치하는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 상기 저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 위치하는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 상기 저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 위치하는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 상기 저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 위치하는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 상기 저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 위치하는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 상기 저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자. | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 위치하는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 상기 저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 성시준 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김대환 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 강진규 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 손대호 | - |
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