구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리
- Title
- 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리
- Alternative Title
- Driving circuit and method for oxide semiconductor with enhanced drive reliability, display gate driving apparatus and oxide semiconductor memory including the same
- Author(s)
- 이현준
- Country
- KO
- Application Date
- 2017-04-14
- Application No.
- 10-2017-0048277
- Registration Date
- 2018-04-02
- Publication No.
- 10-1846161
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
- 본 발명은 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 산화물 반도체를 구동하는 구동 회로에 있어서, 상기 산화물 반도체에 연결되고, 상기 산화물 반도체의 소스에 대한 드레인 전압이 단위 전압 당 소정의 시간 이상으로 상승하거나 하강하는 기울기를 갖도록 제어하는 기울기 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로.에 관한 것이다.
- Related Researcher
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Lee, Hyeon-Jun
- Research Interests 산화물반도체; Oxide semicondcutor; IGZO; memristor; 멤리스터; 차세대메모리; next-generation memory; 뇌모사; neuromorphic; 반도체 소자; Semiconductor device; 소자 수명 평가; device degradation; 소자 결함 분석; device fatigue; 반도체 열분석; Semiconductor thermal analysis; 미세 발열 측정; thermal measurement; 인공지능 소자; AI device; 인지연산 소자 및 시스템; recognition system; transistor analysis & design; 트랜지스터 분석 및 디자인; 트랜지스터 제작 및 측정; transistor fabrication and measurement
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- Division of Nanotechnology 3. Patents
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