구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리
- Title
- 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리
- Alternative Title
- Driving circuit and method for oxide semiconductor with enhanced drive reliability, display gate driving apparatus and oxide semiconductor memory including the same
- Author(s)
- 이현준
- Country
- KO
- Application Date
- 2017-04-14
- Application No.
- 10-2017-0048277
- Registration Date
- 2018-04-02
- Publication No.
- 10-1846161
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
- 본 발명은 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 산화물 반도체를 구동하는 구동 회로에 있어서, 상기 산화물 반도체에 연결되고, 상기 산화물 반도체의 소스에 대한 드레인 전압이 단위 전압 당 소정의 시간 이상으로 상승하거나 하강하는 기울기를 갖도록 제어하는 기울기 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로.에 관한 것이다.
- Related Researcher
-
-
Lee, Hyeon-Jun 나노기술연구부
- Research Interests 산화물반도체;IGZO;memristor;멤리스터;저항메모리;resistance memory;neuromorphic;device;degradation;hot electron;display device;gate driver;oxide semiconductor
-
- Files in This Item:
-
There are no files associated with this item.
- Appears in Collections:
- Division of Nanotechnology 3. Patents
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.