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구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리

Title
구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리
Translated Title
Driving circuit and method for oxide semiconductor with enhanced drive reliability, display gate driving apparatus and oxide semiconductor memory including the same
Inventors
이현준
DGIST Inventors
이현준
Country
KO
Application Date
2017-04-14
Application No.
10-2017-0048277
Registration Date
2018-04-02
Registration No.
10-1846161
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/8903
https://doi.org/10.8080/1020170048277 [KIPRIS]
Abstract
본 발명은 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로 및 그 구동 방법과, 이를 포함하는 디스플레이 게이트 구동 장치와, 이를 포함하는 산화물 반도체 메모리에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 산화물 반도체를 구동하는 구동 회로에 있어서, 상기 산화물 반도체에 연결되고, 상기 산화물 반도체의 소스에 대한 드레인 전압이 단위 전압 당 소정의 시간 이상으로 상승하거나 하강하는 기울기를 갖도록 제어하는 기울기 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로.에 관한 것이다.
Related Researcher
  • Author Lee, Hyeon-Jun  
  • Research Interests 산화물반도체;IGZO;memristor;멤리스터;저항메모리;resistance memory;neuromorphic;device;degradation;hot electron;display device;gate driver;oxide semiconductor
Files:
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Collection:
Division of Nanotechnology3. Patents


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